聚光出海,芯锋出鞘 | 金沙2061线路检测中心携四项突破性新技术亮相国际展会,彰显“芯高度”
发布时间:
2026-02-03 15:37
2026年1月22日,美国西部光电展(SPIE Photonics West Exhibition 2026)在旧金山莫斯康展览中心落下帷幕。金沙2061线路检测中心携多款最新系列产品亮相2231展位,与全球光电领域专家学者、业界同仁及行业客户齐聚一堂,共探行业前沿技术趋势,展现中国“芯”实力。

创“芯”闪耀,光汇全球
本次展会,金沙2061线路检测中心携系列创新产品亮相,涵盖高功率半导体激光芯片、单模/多模光纤耦合模块、半导体激光叠阵模块、VCSEL模组等核心产品,覆盖工业加工、光通信、智能传感、医疗健康等多领域应用,现场吸引了众多国际专家与核心客户驻足交流,向全球市场展现了中国激光技术的创新实力,获得了广泛关注与高度认可。
技术突破,“芯”领前沿
展会期间,金沙2061线路检测中心在SPIE论坛发布了《High-efficiency High-power on-chip Wavelength-stabilized Laser Diodes and Modules》、《Power Scaling of Broad-area Laser Diodes at 940nm》两大主题报告,展示了公司在高功率、高效率、高温度特性、高可靠性及波长稳定性等方面的系统性突破,并集中发表了四项关键新技术突破,涵盖976nm DFB多模芯片与模块、1064nm DFB单模芯片与模块、940nm耐高温芯片以及双结2000W巴条芯片,可广泛应用于光纤激光泵浦、激光雷达、工业加工、核聚变驱动等前沿领域。

976nm DFB多模芯片与模块——高功率与波长锁定的完美结合
该芯片采用片上分布式反馈光栅设计,230μm条宽芯片在CW,25℃条件下实现38.2W输出功率,最高光电转换效率超过70%,波长温漂系数仅0.06 nm/°C。据此开发的光纤耦合模块输出功率≥650W,在0–50℃范围内实现满功率波长锁定,适用于高效率、高稳定性光纤激光泵浦。
1064nm DFB单模芯片与模块——窄线宽、高纯度光谱输出
面向超快激光与精密系统,该单模芯片实现700mW无kink输出,最大电光转换效率达55%。其蝶形封装模块输出功率超过500mW,最大电光转换效率达40%,波长随电流变化极小,在长期CW工作中表现出稳定的窄线宽发射特性。
940nm耐高温单管芯片——适应严苛环境的高可靠性设计
该芯片在105°C高温、14A电流条件下,仍可实现11.4W的功率输出,表现出优异的高温工作稳定性,适用于车载激光雷达等高温、高可靠应用场景。
双结2000W巴条芯片——突破功率极限的垂直结构创新
采用双结外延与隧道结设计,2mm巴条在QCW(300μs, 10Hz)、1000A电流驱动下,实现超过2000W的输出功率,较单结结构提升约1.72倍,为惯性约束聚变等极端功率需求提供可行的泵浦方案。
追光不息,“芯”向未来
作为一家以高端激光芯片设计与制造为核心竞争力的IDM光电企业,公司将始终坚持以创新为驱动,以技术为引领,不断推出更多的创新产品和技术,深化国际行业合作,拓展无限版图,为全球客户提供更加优质的产品和服务。
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